ABSTRACT
Ion beam fabrication techniques are an eective method for top-down nanoscale patterning of magnetic materials. Electron ionization of atoms in a vacuum chamber is the basic process used for generating ion
19.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 421
19.2 Ion Beam Etching for Magnetic Materials . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 422 19.2.1 Ion Beam Etch Sources . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 422 19.2.2 The Sputter Etch Process . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 423 19.2.3 Pattern Transfer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 425 19.2.4 Redeposition of Material . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 425
19.3 Ion Implantation for Magnetic Patterning . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 426 19.3.1 Ion Implantation Tools . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 426 19.3.2 The Implantation Process . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 427 19.3.3 Ion Implantation Simulation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 427 19.3.4 Magnetic Property Modication . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 428 19.3.5 Patterning Magnetic Nanostructures . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 430 19.3.6 High-Resolution Patterning . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 431
19.4 Summary . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 433
References . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 433
beams. Once ionized, the positively charged atoms can be manipulated via electrostatic and Lorentz forces. With low ion beam acceleration voltages, typically <1 keV, the ion impact will result in material removal via sputtering. Higher beam accelerating voltages tend to implant the ions directly into the material, resulting in atomic dislocations and elemental composition
changes. ese two processes are referred to as ion beam etching and ion implantation. e combination of high-resolution lithography with ion beam exposure is a powerful tool in the nanofabrication toolbox. is chapter will provide an overview of ion beam etch and ion implantation processes for the realization of magnetic nanostructures.
