ABSTRACT
I. Silicon Etching . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 252
A. Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 252
B. Etching Mechanism of Silicon . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 252
C. Etchant and Etching Features . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 253
1. Experimental Condition . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 253
a. Sample . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 253
b. Reagents . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 253
c. Evaluating Equipments . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 253
d. Etching Methods . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 253
2. HF:HNO3:CH3COOH-Type Etchant . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 253
a. Degradation of Photoresist and Effects on Silicon Surface . . . . . . . 253
3. HF:HIO3-Type Etchant . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 255
a. Oxidation Power of HIO3 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 255
b. Etching Features of HF:HIO3-Type Etchant . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 257
c. Etching Homogeneity of HF:HIO3-Type Etchant . . . . . . . . . . . . . . . 258
d. Stability of HF:HIO3-Type Etchant . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 259
e. Selective Etching Features with Plasma CVD-SiNx Thin Films . . . 260
f. Reaction to I2 (Reaction Product) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 260
D. Summary . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 262
References . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 263
II. Anodic Reaction of Silicon . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 263
A. Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 263
B. SOI Wafer Production Process by using Anodic Reaction of Silicon . . . . . . . 264
1. Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 264
2. SOI Wafer Production using Anodic Reaction of Silicon (ELTRAN) . . . 264
C. Precise Control of Anodic Reaction of Silicon . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 266
1. Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 266
2. Formation Mechanism of Porous Silicon and
Improvement on Surface Morphology . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 266
D. Discussion on Anodic Reaction of Silicon . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 269
E. Summary . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 270
References . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 270
In the large-scale industry (LSI) manufacturing process, the wet process that uses ultrapurified
water and chemicals increasingly plays an important role even today when devices are becoming
more integrated, more sophisticated, and more reliable. Because the plasma process, which is
extensively used in microfabrication, has less control in preventing the damage to surface of
solids now, the wet processes are added on for each dry process.
